全球128个国家签署的《联合国水俣公约》已于2017年8月在中国正式生效，条约明令各国从2020年起禁止生产及进出口各种含有汞的制品，传统汞灯将被禁止生产和销售。发展环保节能的新型紫外固态光源，替代目前应用广泛的紫外汞灯，已成为杀菌消毒和固化曝光领域迫切的需要。基于第三代半导体材料AlGaN的紫外LED对肆虐的新型冠状病毒具有明显的杀灭效果，因而得到国内外各界的高度关注。

不同于成熟的蓝光LED，由于紫外LED的核心材料具有更低的In含量和更高的Al含量，这使得外延层缺陷密度高、p-AlGaN材料中空穴浓度低、极化效应强、载流子输运不平衡等问题极为突出。因此，紫外LED的发光效率仍远低于成熟的蓝光LED。当发光波长低于370nm时，紫外LED更是面临着发光效率骤降的难题，成为阻碍其高端应用的最大障碍。

针对以上问题，广东省科学院半导体研究所先进材料平台从材料生长和器件设计两方面对紫外LED展开了较系统深入的技术研发。